应用方向：
● 半导体材料少子寿命
● 半导体材料质量控制
● 缺陷种类确定：激活能，俘获截面等参数
应用材料范围：
硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层
为了研究半导体中的缺陷，利用温度依赖的深能级瞬态光谱学(DLTS)得到了广泛的应用。通常这些方法都需要在样品上形成接触，这意味着样品本身往往由于退火步骤而改变。此外，对于许多半导体来说，要产生欧姆接触还需要更多的处理。MD-PICTS是一种非破坏性的、非接触的方法，它的活化能和捕获截面的缺陷可以确定一个较高的精度。
对于MD-PICTS测量，用谐振微波腔测量光照射后样品的光导率。为了确定活化能，光电导率瞬态的温度变化通过窗口分析确定，该方法也用于DLTS测量(图1)。图2是窗口分析得到的所谓的MD-PICTS光谱。这个光谱中的每个峰都是样品中的一个缺陷。
根据这个发射速率公式，在Arrhenius图上画出该峰值较大值的温度位移:
从Arrhenius图的斜率(图3)可以确定活化能。
有了新型的商品化的德国Freiberg MD-PICTS设备，可以测量20 - 500 K范围内温度依赖性的瞬态光电导。在过去，用这种方法已经成功地研究了硅、砷化镓、磷化铟、碳化硅等许多半导体。
图1.描述瞬态光电导率窗口分析
图2.MD-PICTS光谱图
图3.Arrhenius图
图4.不同回火Cz-Si晶片的MD-PICTS光谱图示例
技术参数
