v 手动、半自动、全自动有掩膜光刻机
v 高分辨率掩模对准光刻,特征尺寸优于0.5微米
v 基片尺寸可满足4、6、8、12英寸
v 经过特殊设计,方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料,包括砷化镓和磷化铟
v 设备可通过选配升级套件,实现紫外纳米压印光刻
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